企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 广东 深圳 |
联系卖家: | 陈少龙 先生 |
手机号码: | 13008867918 |
公司官网: | www.igbts.com.c... |
公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2020-05-05 20:59:01
(2)主要技术参数 1)基本参数 功率源: 5000V 1200A 2)栅极-发射极漏电流IGES IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA 集电极电压VCE: 0V 栅极电压Vge: 0-40V±3%±0.1V 3)集电极-发射极电压 集电极电压VCES: 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压Vge: 0V 4)集电极-发射极饱和电压VCESat VCESat:0.2-5V 栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V 集电极电流ICE: 10-1200A±2%±1A 5)集电极-发射极截止电流ICES 集电极电压VCE: 100-5000V±3% 集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压VGE: 0V 6)栅极-发射极阈值电压 VGEth: 1-10V±2%±0.1V Vce: 12V 集电极电流ICE: 30mA±3% 7)二极管压降测试 VF: 0-5V±2%±0.01V IF: 0-1200A±2%±1A Vge: 0V
测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。
半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块,都具有***的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用; 可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
4验收和测试 1)验收由双方共同参加,按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项,检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试,买方确认测试合格通过后完成验收。 2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作;负责免费培训并提供培训教材。培训后,应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试,并能解决实际工程问题。
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