西藏便携式IGBT测试仪-华科IGBT开关测试

三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

如何检测元件有老化的现象？半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，西藏便携式IGBT测试仪，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，便携式IGBT测试仪价格，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。

7、测量配置

7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速电流探头；

7.3 高压差分探头。

8、测试参数应包括

8.1 开通：turn on (tdon ， tr ， di/dt ， Ipeak ，便携式IGBT测试仪加工， Eon ， Pon )；

8.2 关断：turn off (tdoff ， tf ，便携式IGBT测试仪现货供应， Eoff ， Ic ， Poff)；

8.3 反向*** (Irr，Trr，di/dt，Qrr，Erec)；

8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；

8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。