天津封装用IGBT测试仪-华科IGBT静态参数

其中：Vcc 试验电压源±VGG 栅极电压C1 箝位电容Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC 集电极电流取样电流传感器DUT 被测器件关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，封装用IGBT测试仪厂家，VCE采样到示波器的CH1通道，封装用IGBT测试仪加工，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，天津封装用IGBT测试仪，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。

3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；

安全工作区测试负载电感

?电感量1mH 、10mH、50mH、100mH

?电流通过选择不同档位电感，封装用IGBT测试仪价格，满足0~200A电流输出需求（10ms）

?瞬态电压大于10kV

?负载电感配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。

5）补充充电回路限流电感

限制充电回路中的di/dt。

?电感量 100μH

?电流能力 6000A （5ms）

?瞬时耐压 10kV

?工作温度室温～40℃

?工作湿度<70%