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轨道交通用IGBT测试仪批发规格齐全 华科IGBT栅电荷

发布时间:2020-06-18 05:27:20        

欲测知元件老化,所须提供的测量范围为何?4验收和测试 3)验收试验应在-10~40℃环境温度下进行,验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。 当大功率元件在作导通参数的测试时,电流必须大到其所能承受的正常工作值,同时,在作关闭参数的漏电流测试时,电压也必须够高,以元件在真正工作状态下的电流与电压,如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后,便表示元件基本上良好,再进一步作其他参数的测量,以分辨其中的优劣。建议进行高温测试,模拟器件使用工况,更为准确的判断器件老化程度。


产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数: 1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns 4、开通能量:0。


9)尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70% 11)动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向***时间小于2μs ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70% 12)安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kV(3只串联) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试,以确保出厂测试的参数真实有效。压降 小于1V ?浪涌电流 大于20kA ?反向***时间 小于2μS ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70%


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