企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 广东 深圳 |
联系卖家: | 陈少龙 先生 |
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公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2020-07-19 03:13:04
测试参数多且完整、应用领域更广泛,但只要使用其基本的2项功能:「开启」电流压降,「关闭」电流的漏电流,就可知道大功半导体有没有老化的现象。
?可移动型仪器,使用方便,测试简单快速,立即提供测试结果与数值。
?适用的半导体元件种类多,尤其能测大功率元件。
?用户能确实掌握新采购元件的质量,避免用到瑕疵或品。
?完全由计算机控制、快速的设定参数。
?适用于实验室和老化筛选的测试。
?操作非常简单、速度快。
?完全计算机自动判断、自动比对。
3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES: 0.01~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~50mA±1%±0.1mA; 集电极电压VCES: 0-5000V±1.5%±2V; * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01~50mA 集电极电压VCES: 50~500V±2%±1V; 500~5000V±1.5%±2V; 集电极电流ICES: 0.001~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~150mA±1%±0.1mA; * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001~10V 集电极电流ICE: 0-1600A 集电极电压VCEs: 0.001~10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge: 5~40V±1%±0.01V 集电极电流ICE: 0~100A±1%±1A; 100~1600A±2%±2A; * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01~10μA 栅极漏电流IGEs: 0.01~10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge: ±1V~40V±1%±0.1V; Vce=0V;3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路 。 * 3.10 VF 正向特性测试 0.1~5V 二极管导通电压Vf: 0.1~5V±1%±0.01V 电流IF: 0~100A±2%±1A; 100~1600A±1.5%±2A;
5 包装、标志和运输 卖方负责整套设备的包装和运输,并负担由此产生的费用。出厂调试结束、出厂前预验收完成后,卖方将为每个柜子量身定做包装柜,保证包装坚固,能适应中国境内公路、铁路运输,并兼顾设备在现场保存时间的要求。包装与运输由专人负责,每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化,饱和压降Vcesat会逐渐劣化。
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