检修用IGBT测试仪厂家信息推荐「多图」

目的和用途 该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。2关断：turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW

2.3栅极电荷技术条件 测试参数： 栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC 测试条件： 1、栅极驱动电压：-15V～ 15V±3%，分辨率±0.1V 2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A; 3、集电极电压：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求

3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中：Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管） L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td （on） ，集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td （on） tr