企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 广东 深圳 |
联系卖家: | 陈少龙 先生 |
手机号码: | 13008867918 |
公司官网: | www.igbts.com.c... |
公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2020-08-16 01:50:48
测试参数: ICES 集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路 。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1)功能
GBT模块动态参数测试。
*2)测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
4验收和测试 3)验收试验应在-10~40℃环境温度下进行,验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。 4)测试单元发货到买方前,卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估,通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。(正本、副本)技术资料,应至少有一份采用中文,另一份技术资料可以是英文或中文。否则,需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案,直至买方评估合格。
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