企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 广东 深圳 |
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公司官网: | www.igbts.com.c... |
公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2020-08-21 23:15:56
大功率半导体器件为何有老化的问题?
任何产品都有设计使用寿命,同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护,延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。功率元件由于经常有大电流往复的冲击,对半导体结构均具有一定的耗损性及***性,若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘,更会加速元件的老化程度,故元件老化,就如人的老化一样是不可避免的问题。可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
3、系统基本参数
3.1 电 压 源:220VAC ±10% ,50Hz/60Hz 20A RMS;
3.2 加热功能:室温~150℃;
3.3 测试功能:可测试IGBT模块及FRD;
3.4 环境温度:25℃±15℃;
3.5 环境湿度:50% ±20% (相对湿度)
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc: 50 ~ 1000V;
4.2 集电极电流 Ic: 50 ~ 1000A ***负载;
4.3 电流持续时间 It: 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间; 4.4 脉 冲 模 式: 单脉冲和双脉冲;
4.5 单电流脉冲的设置: Vcc,Ic, 电感值(自动计算脉宽);
4.6 双电流脉冲的设置: Vcc, Ic, 电感值,间隙时间(10到50us)(脉宽自动计算);
(开启Qrr测试:第二个脉宽=间隙时间,10~50us);
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH(***动态测试)。
2.2反向***技术条件 测试参数: 1、Irr(反向***电流):50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、Qrr (反向***电荷):1~1000uC 1~50uC±5%±0.1 uC 50~200uC±5%±1 uC 200~1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向***时间):20~2000ns 20~100±5%±1ns 100~500±5%±2ns 500~2000±3%±5ns 4、Erec(反向关断能量损失):0.5~1000mJ 0.5~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~200mJ±5%±1mJ 200~1000mJ±5%±2mJ 测试条件: 1、正向电流IFM:50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、-di/dt测量范围:200~10000A/us 3、反向关断峰值电压VRRpk:200~1000V±3%±2V 4、dv/dt测量范围:100~10000V/us
2.3栅极电荷技术条件 测试参数: 栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC 测试条件: 1、栅极驱动电压:-15V~ 15V±3%,分辨率±0.1V 2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A; 3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求
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