企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 广东 深圳 |
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公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2020-10-07 14:03:26
1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆,测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括: 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能; 2. 图形化操作界面;2反向***技术条件 测试参数: 1、Irr(反向***电流):50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、Qrr(反向***电荷):1~1000uC 1~50uC±5%±0。中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块,达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线,曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格; *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比,新测曲线可以与原测曲线进行对比; 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm
3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1~10V VGE:0.1~10V±1%±0.01V; 解析度:0.01V 集电极电流Ic: 10~50mA±1%±0.5mA;等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。 50~200mA±1%±1mA; 200~1000mA±1%±2mA;
表格12动态参数测试部分组成
序号 组成部分 单位 数量
1 可调充电电源 套 1
2 直流电容器 个 8
3 动态测试负载电感 套 1
4 安全工作区测试负载电感 套 1
5 补充充电回路限流电感L 个 1
6 短路保护放电回路 套 1
7 正常放电回路 套 1
8 高压大功率开关 个 5
9 尖峰***电容 个 1
10 主回路正向导通晶闸管 个 2
11 动态测试续流二极管 个 2
12 安全工作区测试续流二极管 个 3
13 被测器件旁路开关 个 1
14 工控机及操作系统 套 1
15 数据采集与处理单元 套 1
16 机柜及其面板 套 1
17 压接夹具及其配套系统 套 1
18 加热装置 套 1
19 其他辅件 套 1
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